IT之家11月19日报道 韩国Etnews昨日报道称，为了重新夺回在DRAM市场的领导地位，三星计划在2026年底前将10纳米第六代DRAM（1C DRAM）的月产能扩大至20万片（晶圆），占该公司整体DRAM产量的三分之一。毫不夸张地说，三星明年的业务重心将转向1C。据ETNEWS报道，三星电子今年前三季度在DRAM市场的领先地位继续被Sk Hynix夺走。三星将其归咎于其核心 DRAM 业务。该公司确定DRAM质量直接影响HBM的竞争力，并立即启动了重大设计变更。 1C DRAM 就是这一努力的成果。消息人士称，1c近期已获得内部审批，良率约为70%，稳定量产（良率80~90%）指日可待。 HBM4 的成品率第i个1C DRAM也被确认超过50%。此外，历经重重困难，三星电子终于与NVIDIA达成了HBM4供应协议，并计划于今年第四季度开始交付第一批产品。随着HBM4的突破已成定局，公司全力开发1C DRAM产能。服务器、PC和移动设备对DRAM的需求也正在推动三星电子的投资布局。其中，服务器DRAM需求因AI数据中心投资扩大而增长。随着数据中心运营商竞相投资基础设施以支持人工智能服务，服务器 DRAM 价格急剧上涨。与此同时，PC和移动市场增速放缓也悄然复苏。这是由于设备上人工智能的兴起。 IT之家指出，要在终端设备上运行人工智能计算，需要大容量的内存。这意味着DRAM的需求将大幅增加。电脑而移动设备市场将成为支撑DRAM需求的重要支柱，预计将引发供应短缺。对高性能内存的强劲需求是三星扩大1C DRAM份额的主要原因。作为三星的独特武器，1c Dram 加速了这一进程。当竞争对手仍在使用 1B DRAM 时，三星决定使用 1C DRAM 制造 HBM。此举旨在通过领先一代的产品实现优势。 SSamsung 正试图通过大规模扩大产能来扰乱 1C DRAM 市场。业内人士指出：“三星电子以远超竞争对手的产能占据市场主导地位，这一策略很可能在1C DRAM领域再次出现。”据报道，1C生产将通过工艺扩张和转换来推进，扩张以平泽4号工厂（P4）为中心，目前正处于入厂阶段和安装阶段。工艺转换是指产品10纳米1x·1y·1Z dram的化成。将生产线改造为制造1C的专用生产线是一种技术转让。此次转型可以最大限度地利用产线现有设备，仅引入必要的安达米坦，从而快速建设DRAM产线，提高市场响应速度。该解决方案在投资回报方面具有显着的成本节约优势。同时，此举也被解读为削减面临中国激烈追击的老一代DRAM产能，转而重点发展新一代DRAM，以实现“缺口过剩”战略的决定。据悉，技术转移工作在多条生产线同步进行。
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